Berylliumoxidkeramiken bieten viele Vorteile gegenüber konkurrierenden Materialien. Sie können neunmal wärmeleitender sein als Aluminiumnitrid (AlN) -Keramik, eine nur verwendete Alternative. Darüber hinaus hat BeO eine Wärmeleitfähigkeit von bis zu 325 W/ (m • K), was bedeutet, dass Beryllien bis zu 80 Prozent wärmeleitender sein können als AlN-Materialien. Berylliumoxidkeramik ist in Umgebungen mit oxidierenden Chemikalien chemisch stabiler als AlN-Keramik.
Hohe Festigkeit über einen weiten Temperaturbereich
Hohe Härte
Niedriger Reibungskoeffizient
Hervorragende Verschleißfestigkeit
Gute Hitzebeständigkeit
Hohe Betriebstemperatur
Gute chemische Beständigkeit
Parameter | Unit | Value | |
Density | g / cm3 | ≥2.85 | |
BeO purity | % | ≥99 | |
Bending strength | MPa | ≥170 | |
Linear expansion coefficient | 20℃-500%℃ | × 10 ⁻⁴ /℃ | 7-8.5 |
Thermal conductivity | 40℃ | W / m ∙ ° K | ≥250 |
Specific heat | 25℃ | J / Kg ° C | 720 |
Dielectric constant | 1MHz 20℃ | 6.5-7.5 | |
10GHz 20℃ | 6.5-7.5 | ||
Dielectric loss tangent | 1 MHz 20℃ | × 10 ⁻⁴ | ≤4 |
10 GHz 20℃ | × 10 ⁻⁴ | ≤8 | |
Resistivity | 100℃ | Ω cm | ≥1013 |
300℃ | Ω cm | ≥1010 | |
Dielectric strength | DC | KV / mm | ≥15 |
Chemical stability | 1: 9HCl | μg / cm² | ≤0.3 |
10% NaOH | μg / cm² | ≤0.2 | |
Maximum working temperature | ℃ | 1800 |
Die Berylliumoxidkeramik wird häufig in Mikrowellengeräten mit hoher Leistung von -, Elektronikverpackungskomponenten, leistungselektronischen Geräten, integrierten Leistungsdickfilm-Hybridschaltungen, Elektrovakuumtechnologie, Kerntechnik usw. verwendet.
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